Modélisation du courant de fuite dans les oxydes d'épaisseur nanométrique

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L’étude du courant de fuite dans les oxydes minces est un point crucial de l’étude de la fiabilité des futures technologies de transistors MOS et de mémoires intégrées.

La course à l’intégration des dispositifs tend à réduire l’épaisseur de leur isolant à quelques nanomètres, ce qui favorise les courants de fuite. A ces échelles, ces courants ne suivent plus les lois de la physique classique mais celle de la physique quantique (mode de conduction tunnel). Ce papier fera l’objet d’une étude comparative entre les mesures expérimentales obtenues lors d’une batterie importante de tests, réalisées sur des prototypes d’épaisseur inférieure à 5nm, et l’extraction des paramètres non mesurables. Cette étude s’achèvera sur une confrontation des résultats expérimentaux avec les modèles répertoriés dans la bibliographie.

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